Dwupoziomowa technologia Anti-PID
Ochrona przed degradacją indukowaną potencjałem zastosowana jednocześnie na poziomie ogniwa i enkapsulacji to rozwiązanie ponadstandardowe. W systemach 1500V napięcia między ramką a ogniwami są wyraźnie wyższe niż w systemach 1000V, co zwiększa ryzyko PID – podwójna bariera TD-AN3 bezpośrednio adresuje ten problem i przekłada się na wyższy uzysk energii przez cały cykl życia instalacji.